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离子型抗静电剂

离子型抗静电剂 抗静电剂

离子型抗静电剂 GCASTAT® IC-1系列

解决炭黑、CNT、表面活性剂带来的粉尘、污染、颜色受限及表面迁移问题的液态离子型抗静电剂，在高温干燥环境下仍保持性能。

  • 0.05–2.0%
  • < 300℃
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GCASTAT® IC-1系列是可顺应电子电气产业发展、替代传统抗静电技术的先进材料。它解决了使用炭黑、CNT、表面活性剂时产生的粉尘、部件污染、条码识别受限、颜色受限、有害物质、反向电流、击穿失效、表面迁移、性能随时间和湿度下降以及耐热性不足等问题。

主要特点

  • 优异的抗静电性能（衰减时间及半衰期短）
  • 耐热性高（<300℃）
  • 透明度高
  • 耐黄变
  • 物理及化学稳定性
  • 可自由着色

主要用途

  • Silicone rubber
  • Urethane rubber
  • TPU (ether / ester)
  • PMMA
  • Nylon 6.6
  • ESD flooring
  • ESD sheet
  • ESD coating
  • ESD film
  • ESD package
  • Carrier tape
  • ESD adhesive

推荐添加量

0.05–2.0%
常规推荐添加量
Max 5.0%
最大添加量

按聚合物推荐产品

产品名称聚合物添加量 (%)表面电阻 (Ω/sq)
GCASTAT Ⓡ IC-1Silicone rubber0.05~ Max. 1.010E10~11
GCASTATⓇ IC-1HSilicone rubber0.05~ Max. 1.010E10
GCASTATⓇ IC-1PSilicone rubber0.05~ Max. 1.010E9~10
GCASTATⓇ IC-1MUrethane rubber TPU Ether / Ester PMMA Nylon 6.62.0 ± 0.5 2.0 ± 0.5 0.5 ± 0.5 2.0 ± 0.510E8 10E8 10E9 10E9~10

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产品固有特性

ItemsResultsTest Methods
StateLiquid at 20 ℃With reference to * KHMSCA
Flash Point (Closed Cup)No flash occurred under 93 ℃ASTM D56 : 2010 Tag Closed Cup
Flash Point (Open Cup)131 ℃ASTM D92 : 2012a Cleveland Open Cup
Autoignition TemperatureNo Spontaneous combustion under 200 ℃ASTM E659(78) : 2005
pH3.6 ~ 4.6 * Sample : H2O = 1: 5 (v/v)With reference to KS I ISO 10390 : 2005
Density1.2 at 20 ℃KS M 0004 : 1997 (2012 confirmation)
Water SolubilityInsoluble at 20 ℃With reference to * KHMSCA
Spontaneous Combustion TestNo Spontaneous combustion at 20 ℃** UN TDG Test N.2
Water Contact TestNo water reaction hazard at 20 ℃UN TDG Test N.5
Pressure Vessel TestNo self-reaction hazard - No rupture of the 0.6 Mpa disc of the vessel * orifice range = (0.6 ~ 9.0) mmUN TDG Test E.3

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* KHMSCA : Korea Hazardous Materials Safety Control Act. ** UN TDG : UN Recommendations on the Transport of Dangerous Goods – Tests and Criteria

半衰期对比 — 硅橡胶KS K 0555:2010 A法，6 kV

试样一段硫化 半衰期 (sec)二段硫化 半衰期 (sec)
GCASTATⓇIC-1H 0.05%1.21.8
GCASTATⓇIC-1H 0.1%<1.0< 1.0
USA C Company 2.0% (Stearamidopropyldimethyl-2-hydroxyethylamm-onium nitrate)> 60N/A
Japan S Company Antistatic Silicone Rubber5.57.3
Experimental Condition170℃/10min200℃/4hr

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衰减时间 — 硅橡胶施加1,000 V后降至10%的时间

IC-1H 添加量 (%)0.0 %0.1 %0.5 %1.0 %
测量电压 (V)300 V1.9 V3.8 V3.8 V
测量时间 (sec)8.61.21.40.07
衰减时间 (sec)>> 10< 1< 1< 0.07

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表面电阻 (Ω/sq)KS M 3015:2008，500 V

IC-1H 添加量 (%)0.1%0.5%1.0%
Press cure (170℃/10min)2.61 × 10102.19 × 10102.17 × 1010
Post cure (200℃/4hr)1.25 × 10106.95 × 10103.18 × 1010

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体积电阻 (Ω·cm)KS M 3015，500 V

IC-1H 添加量 (%)0.1%0.5%1.0%
Press cure (170℃/10min)2.57 × 10102.19 × 10102.70 × 1010
Post cure (200℃/4hr)7.37 × 10103.01 × 10102.49 × 1010

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高温老化后的半衰期

测试条件 (IC-1H 0.05%)Half life (sec)
Press cure (170℃ x 10 min)1.2
Post cure (200℃ x 10 min)1,8
Heat aging (200℃ x 100 hr)3
Heat aging (200℃ x 300 hr)3

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300℃ · 330℃加热后半衰期

添加量 (%)0.1%0.5%1.0%
半衰期 (sec)<1< 0.6< 0.5

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300℃ · 330℃加热后表面电阻 (Ω/sq)

IC-1H 添加量 (%)0.1%0.5%1.0%
After 300℃ x 10 min1.31 × 10115.69 × 10102.63 × 1010
After 330℃ x 10 min1.38 × 10104.26 × 1091.02 × 1010

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300℃ · 330℃加热后体积电阻 (Ω·cm)

IC-1H 添加量 (%)0.1%0.5%1.0%
After 300℃ x 10 min5.94 × 10112.74 × 10101.72 × 1010
After 330℃ x 10 min2.26 × 10102.58 × 1092.35 × 109

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物理特性 — 不影响物性及硫化时间

Items未添加IC-1 H 0.05%IC-1 0.1%美国C公司抗静电剂 2.0%
Hardness (Shore A)40404038
Tensile St. (kgf/cm²)85868673
Elongation (%)713721725789
Tear St. (N/mm)24242421
ML (Ibf)0.940.930.950.86
MH (Ibf)11.2411.3111.359.23
ts 1 (sec)36373741
tc 5063656578
tc 90 (sec)122124125182

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产品照片

  • GCASTAT® IC-1系列
    GCASTAT® IC-1系列